在光电领域，新微半导体提供基于3/4英寸磷化铟（InP）与4/6英寸砷化镓（GaAs）材料，从外延到制造的全流程光电代工解决方案。为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器（DFB、EML、SLD、FP等）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）和高灵敏度的光电探测器（PD、APD、MPD 等）成熟工艺平台，代工产品广泛应用于光通信、数据中心、汽车雷达等领域。
新微半导体布局 3/4 英寸InP材料工艺体系，打造中心波长 600nm–2100nm 全覆盖的 DFB、FP 标准化工艺平台。平台覆盖适配硅光泵浦光源的掩埋异质结（BH）DFB、脊波导（RWG）DFB，以及峰值输出功率最高 50W 的 FP 激光器工艺，兼具高功率输出、宽波长调谐、窄光谱线宽等优异特性，器件产品可落地气体传感探测、医美光源、精密光学测量等多领域应用。
新微半导体提供基于4/6 英寸GaAs材料体系的VCSEL 工艺平台，主要涵盖两大类型：高速100G/200Gbps PAM4 850nm VCSEL 及高功率阵列VCSEL。其中，依托高速VCSEL 平台，客户产品具备高效光耦合、高速调制和低功耗等核心优势，适配高速通信场景；依托阵列VCSEL 平台，客户产品具有高功率、高良率等显著特点，可应用于激光雷达、数据中心、车载光电子、3D 传感等多元化应用领域。
新微半导体提供基于3/4英寸InP和4/6英寸GaAs材料体系的探测器艺平台，包含高速光通信PD和APD两大工艺平台。凭借高响应度、高速度和低暗电流等优异性能，为客户提供低本高效的解决方案。产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。
在光电领域，新微半导体提供基于3/4英寸磷化铟（InP）与4/6英寸砷化镓（GaAs）材料，从外延到制造的全流程光电代工解决方案。为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器（DFB、EML、SLD、FP等）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）和高灵敏度的光电探测器（PD、APD、MPD 等）成熟工艺平台，代工产品广泛应用于光通信、数据中心、汽车雷达等领域。
新微半导体布局 3/4 英寸InP材料工艺体系，打造中心波长 600nm–2100nm 全覆盖的 DFB、FP 标准化工艺平台。平台覆盖适配硅光泵浦光源的掩埋异质结（BH）DFB、脊波导（RWG）DFB，以及峰值输出功率最高 50W 的 FP 激光器工艺，兼具高功率输出、宽波长调谐、窄光谱线宽等优异特性，器件产品可落地气体传感探测、医美光源、精密光学测量等多领域应用。
新微半导体提供基于4/6 英寸GaAs材料体系的VCSEL 工艺平台，主要涵盖两大类型：高速100G/200Gbps PAM4 850nm VCSEL 及高功率阵列VCSEL。其中，依托高速VCSEL 平台，客户产品具备高效光耦合、高速调制和低功耗等核心优势，适配高速通信场景；依托阵列VCSEL 平台，客户产品具有高功率、高良率等显著特点，可应用于激光雷达、数据中心、车载光电子、3D 传感等多元化应用领域。
新微半导体提供基于3/4英寸InP和4/6英寸GaAs材料体系的探测器艺平台，包含高速光通信PD和APD两大工艺平台。凭借高响应度、高速度和低暗电流等优异性能，为客户提供低本高效的解决方案。产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。
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